PVD是一种物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）工艺，也被称为化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）工艺。它是通过在半导体器件上施加气相前驱体，在高温高真空条件下将气相前驱体分解成原子，并在原子表面沉积形成导电层，从而实现半导体器件的制造。
PVD工艺通常包括以下步骤：
1.准备前驱体：将高纯度的硅片、磷化氢等前驱体放入真空腔体中，在高温下进行热处理。
2.分解前驱体：在真空腔体中，通过高能量电子轰击或化学反应，将前驱体分解成原子。
3.沉积原子：在高温高真空条件下，原子在真空腔体表面沉积形成导电层。
4.成长晶圆：将沉积的导电层从真空腔体中取出，放入生长晶圆的设备中，形成完整的晶圆。
5.退火：将晶圆放入退火腔体中，在高温下进行退火处理，以去除晶圆中的杂质。
6.再次生长：将晶圆放入生长腔体中，在相同的高温高真空条件下，再次生长导电层。
7.退火：将晶圆放入退火腔体中，在高温下进行退火处理，以去除晶圆中的杂质。
8.清洗：将晶圆放入洗涤液中，进行清洗以去除残留的污垢。
9.测试：对晶圆进行电学测试，以检验其导电性能。
PVD工艺具有以下优点：
1.薄膜均匀性好：通过控制前驱体分解的方式，可以保证薄膜均匀性，减小薄膜厚度。
2.成膜速度快：采用高能量电子轰击或化学反应分解前驱体，可加速原子沉积过程，提高成膜速度。
3.抗污染能力强：通过多次清洗和退火处理，可以去除大部分杂质，提高薄膜的抗污染能力。
4.导电性好：在晶圆上沉积的导电层具有良好的导电性能，可保证器件的导电性能。
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